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更新時間:2025-11-25
瀏覽次數:291600℃真空高溫管式爐是一款適配更高精度高溫處理需求的精密設備,相比 1500℃機型,它在加熱元件、結構設計上有針對性升級,且應用場景更聚焦材料的精密加工,以下是其核心信息的詳細介紹:
核心結構與關鍵參數
核心部件配置詳情關鍵參數
加熱元件主流采用 1750 級硅鉬棒,部分雙溫區機型會搭配硅碳棒(1400℃以下用),硅鉬棒耐高溫、抗氧化性強,能適配 1600℃長期工作需求需注意 800℃以下不宜長期使用硅鉬棒,避免元件損耗
爐管多為高純剛玉管,純度普遍超 99.5%,部分機型可達 99.8%,耐高溫且化學穩定性好,不易污染物料長期使用溫度 1600℃,短期可承受 1800℃,需避免驟冷驟熱導致開裂
控溫系統搭載 PID 智能控溫,支持 30 - 50 段可編程控溫程序,部分機型帶多溫區獨立控制,搭配 S 型熱電偶控溫精度 ±1℃,1400℃以上建議升溫速率≤5℃/min,1400℃以下可≤10℃/min
真空系統搭配機械泵可達到 10?3Torr 真空度,選配分子泵后能提升至 10??Torr,爐管兩端采用不銹鋼密封法蘭 + 耐高溫密封圈保障密封性部分機型可選 KF25 轉接頭,提升抽氣速率
爐膛與爐體爐膛用高純氧化鋁多晶纖維,表面常涂氧化鋁涂層,爐體為雙層殼體并帶風冷系統爐體表面溫度可控制在 55 - 60℃,既節能又保障操作安全
核心應用領域
陶瓷與無機材料加工:是碳化硅、氮化鋁等易氧化陶瓷的精密燒結核心設備,通過真空或高純氮氣、氬氣等惰性氣氛保護,減少陶瓷坯體氣孔,提升致密度與力學性能;也可用于特種玻璃的脫氣、提純,去除內部氣泡和雜質,優化透光性。
電子與半導體精密處理:適配半導體晶圓的高溫退火、外延生長工藝,真空環境能避免半導體材料氧化,激活摻雜元素,消除晶體缺陷;還可用于 MLCC、壓電陶瓷等電子元件的燒結,保障元件絕緣性和穩定性。
新能源與特種合金研發:用于鋰電正負極材料、燃料電池催化劑的高溫改性,通過精準控溫優化材料晶體結構,提升電化學循環穩定性;同時適配高熵合金的晶核孕育與合成,通過多段編程控溫避免晶格畸變,提升合金相純度。
航空航天材料實驗:針對航空航天用高溫陶瓷部件、小尺寸高溫合金零件,開展真空燒結、退火等處理,提升部件耐高溫性和抗疲勞性,適配飛行工況。
使用壽命與維護要點
使用壽命:整機常規使用壽命約 4 - 7 年,比 1500℃機型略短,核心損耗件壽命差異明顯。硅鉬棒在 1600℃滿負荷工作下壽命約 800 - 1200 小時;剛玉爐管正常使用約 2 年,若頻繁接觸腐蝕性氣體則可能縮短至 1 年以內;密封圈等耗材壽命約 1 - 1.5 年。
維護關鍵要點:避免長期在 1600℃極限溫度運行,單次極限溫度工作建議不超 30 分鐘;實驗后及時清理爐管內殘留雜質,若通入反應氣體,需后續通惰性氣體吹掃爐膛;每 3 - 6 個月檢查硅鉬棒氧化情況和法蘭密封性,每年校準一次熱電偶精度;嚴禁在氧化鋁爐管中使用石墨坩堝,防止發生反應損壞爐管。